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高纯氧化镁坩埚
产品详细介绍高纯氧化镁坩埚
北京中科奥博科技有限公司
2021-08-23
PCX高细锤式制砂机
临沂恒泰机械制造有限公司
2021-08-26
良田小壁挂高拍仪
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23
SGZ-身高坐高计
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
身高坐高计210型
身高坐高计http://www.xinman8.com/296.html用于测量身高以及坐高，测量范围：身高60～205CM，坐高40～120CM
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
一种四轮驱动纯电动汽车硬件在环仿真实验系统
本发明涉及一种四轮驱动纯电动汽车硬件在环仿真实验系统。本系统包括驱动电机及控制器子系统、电力测功机及控制器子系统、扭矩转速传感器、车辆动力学模型实时仿真子系统、信号检测与分析子系统。本系统以电机及控制器子系统实现纯电动汽车四轮的独立驱动，电力测功机及控制器子系统实现车辆行驶负载的模拟。车辆动力学响应通过实时控制器运行实时仿真模型实现，并通过FPGA实现整车控制器、信号的输入输出和信号调理。本发明可以对四轮驱动纯电动汽车进行硬件在环仿真，实现车辆驱动系统的快速开发与产品测试，具有节能、安全、快速、低
长沙理工大学
2021-01-12
一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学
2021-04-11
一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法
本发明公开了一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法，采用二氧化硅胶体微球作为模板，并将其置于反应管中，加入预凝胶A反应、聚合后，去除二氧化硅胶体微球，制得反蛋白石骨架，将预凝胶B加入该骨架中反应、聚合20～60s后，即制得混合光子晶体，随后配制叶酸?二甲基亚砜混合溶液，加入1?(3?二甲氨基丙基)?3?乙基碳二亚胺盐酸盐，混合光子晶体和N?羟基琥珀酰亚胺反应后，洗涤，即可制得该复合材料。本发明的显著优点为制法简单容易，对设备要求低，制得的复合材料稳定性强，具有优越的生物兼容性和磁性响应性，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞，并使得耐要细胞株具有良好的生物活性。
东南大学
2021-04-11
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整
华中科技大学
2021-04-14
一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法，采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成 SnSe2，并通过 沉积载气带入下游温区，在衬底上沉
华中科技大学
2021-04-14