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智能芯片驱动 LED 集成化照明模组
基于分布式芯片驱动的 LED 集成化照明模组,将驱动与光源集成为一体化标准模组,克服了开关电源的电解电容寿命瓶颈、可靠性差、成本高等缺点,具有可靠性高、 寿命长、结构简单、模块化设计、安装方便、免维护、智能化、成本低等优点。结合窄带物联网(NB-IoT)、Zigbee、 LoRa 等无线通讯技术,实现了大数据物联网平台的智慧城市照明系统,通过精细化运营管理,可达到 70%的节能减排效果。实现驱动芯片化、模组集成化、通讯无线化、软件智慧化、系统物联化。 
中国科学技术大学 2021-04-14
CMOS可视芯片及其衍生产品―电脑眼
由西安交大开元集团自主开发的CMOS可视芯片是目前国际先进、国内领先的视觉芯片,具有集成度高、功能全、体积小、功耗低的特点。以CMOS可视芯片为核心部件的彩色电脑眼是新一代计算机图像输入器件,具有数码相机、电子相册、三维传真、动态录像EMAIL、网络可视电话、视频会议和智能遥控报警等多种功能。该项目已被列入国家高新年技术产业化示范工程。
西安交通大学 2021-01-12
宽带长距离传输光接收集成芯片
本项目针对国内高端光电子器件严重依赖进口的现状问题,自主研制Tb/s级以上 PDM-16QAM的硅基大规模阵列集成相干光接收芯片。根据本研究组在硅基集成光电子器件、偏振控制器件、光混频器等方面的建模仿真、制备测试基础,依托“先进电子材料与器件”校级平台的先进半导体加工能力,制备了高偏振消光比的偏振分束器、偏振旋转器,高相位精度的90度混频器,大带宽高响应度的探测器阵列,高效硅基芯片-光纤耦合,以及可调光功率衰减器。 通过本项目的实施,在硅基光接收集成芯片、高端光电子器件及其大规模集成的关键技术领域有所突破,建立关键工艺技术与器件标准库,形成硅基光电子器件标准加工工艺流程,实现高端光电子器件的自主制备,改变了我国硅基光电子器件技术无偿地向国外转移的历史,缩短我国光子集成技术与国际先进水平的差距,提升我国光通信产业的竞争力。部分成果获得2014年度上海市发明二等奖。
上海交通大学 2021-04-13
高性能非制冷红外探测器芯片
        技术成熟度:技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线,在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差(NETD)大、集成兼容性差的难题,提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路,获得超薄宽带高吸收率材料;提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路,获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器,NETD降低3倍,研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
芯片封装用抗静电复合材料
ABS塑料是丙烯腈(A)、丁二烯(B)、苯乙烯(S)三种单体的三元共聚物,三种单体相对含量可任意变化,制成各种树脂。ABS塑料是一种原料易得、综合性能良好、价格便宜、用途广泛的“坚韧、质硬、刚性”材料。在机械、电气、纺织、汽车、飞机、轮船等制造工业及化工中获得了广泛的应用。但是普通ABS塑料容易产生静电,严重限制了ABS塑料在精密材料、计算机材料等领域的应用。 研究团队面向半导体工业芯片封装中抗静电需求,制备具有优良导电性能和机械强度的ABS/石墨烯复合抗静电材料,大大拓展了ABS的应用领域。相关研究洪文晶教授曾获教育部自然科学奖一等奖。 技术成熟度 研究团队充分利用石墨烯的导电性,用原位聚合的方法,制备出石墨烯/ABS抗静电复合材料。通过双电测四探针测试仪测试出电导率在1×10-5S.cm-1~1×10-6S.cm-1,具有良好的导电性能。力学性能测试满足产品要求。本技术的技术路线已完全走通,正进一步对生产工艺和成分配比进行优化。 投产条件和预期经济效益 以ABS树脂为原材料,添加石墨烯作为导电剂。利用石墨烯良好的导电性,通过原位聚合的方法将石墨烯与ABS均匀的混合,制备出良好的导电性材料。产品面向精密电子元件的封装和防护,随着我国精密设备和半导体产业的发展,本产品将有广阔的市场空间。
厦门大学 2021-01-12
电动汽车动力电池管理专用芯片
成果与项目的背景及主要用途: 电动汽车作为 21 世纪汽车工业改造和发展的主要方向,目前已从实验开发试验阶段过渡到商品性试生产阶段,世界上许多知名汽车厂家都推出了具有高科技水平的安全或环保型号概念车,目的是为了引导世界汽车技术的潮流。电动汽车动力电池管理专用芯片的开发,电池管理系统作为电池保护和管理的核心部件,不仅要保证电池安全可靠的使用,而且要充分发挥电池的能力和延长使用寿命,作为电池和车辆管理系统以及驾驶者沟通的桥梁,电池管理系统对于电动汽车性能起着关键性的作用。 技术原理与工艺流程简介: 电动汽车动力电池管理专用芯片用于电动汽车动力电池在电压、电流和温度测量,并具备单体电池均衡管理和电池包的保护功能。14 位 Delta-Sigma 型模数转换器,实现高精确度(相对准确度 0.5%)和宽范围线性度。采用 BCD 混合信号工艺,高电压大电流的电路实现。 电路芯片的功能包括多通道电压/电流/温度采样,通讯接口功能,均衡电路控制和驱动功能。核心电路模数转换器 14 位精度,误差增益小于 1%。芯片工作温度-40℃ ~ 125℃。 应用前景分析及效益预测: 考虑到一次性成本和重复性成本,以及客户的承受能力,单套电动汽车电池组管理系统的售价大约为 0.6 万元左右。产业化量产后前 2 年只要销售 1400 套以上,销售收入预计 850 万元左右即可实现盈利。 应用领域:电动车制造业 技术转化条件: 五十平方米以上的办公用房,电脑、工作站若干,相应软件,也可与卡片封装单位共同合作。 合作方式及条件:根据具体情况面议
天津大学 2021-04-11
福大新型量子点复合材料研究成果
项目成果/简介:福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者,在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》(英文刊名:《Ceramics International》)上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”(英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”)的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线(CuO NWs)异质结构,以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输,同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能,提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低,通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜,均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面,同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义,特别是由于表面积大大增加,异质结密度提高,具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径,也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。
福州大学 2021-04-10
反常量子格里菲思奇异性的发现
北京大学量子材料中心王健研究组在硅衬底上外延生长了高质量超薄晶态铅膜,与北京大学谢心澄院士、林熙研究员和北京师范大学刘海文研究员合作在极低温下观测到反常量子格里菲斯奇异性,并给出理论解释。这一发现揭示了超导涨落与自旋轨道耦合效应对于量子相变的重要影响,揭示出量子格里菲斯奇异性在二维超导金属相变中的普适性。 超导-绝缘体与超导-金属相变是量子相变的经典范例,已有三十余年的研究历史。所谓量子相变,是指在绝对零度下系统处于量子基态时随着参数变化而发生的相变。近年来,随着薄膜和器件制备工艺的提高,二维晶态超导体系逐渐成为了研究量子相变的理想平台,得到了国际学术界的广泛关注。王健研究组与谢心澄院士、马旭村研究员、林熙研究员、薛其坤院士等合作者在前期二维超导的相关研究中发现了超导-金属相变中的量子格里菲斯奇异性 (Science 350, 542 (2015)), 并被同期perspective评论文章Science 350, 509 (2015)专题报道。随后被液态栅极技术发明人东京大学Iwasa教授的综述文章Nature Reviews Materials 2, 16094 (2016)誉为二维晶态超导中三个最重要的主题之一。量子格里菲斯奇异性的研究表明,无序可以定性地改变量子相变的临界行为,其主要特征是趋于量子临界点时,二维超导体系的动力学临界指数发散。 最近,王健研究组通过超高真空分子束外延生长技术在硅衬底上制备出宏观尺度高质量晶态薄膜,并实现了厚度为亚纳米尺度的原子层级可控生长。在此基础上,王健教授与谢心澄院士、林熙研究员、刘海文研究员等人合作,在4个原子层厚(约1纳米)的晶态铅膜中发现了一种具有反常相边界的超导-金属相变,并揭示了其中的反常量子格里菲斯奇异性。根据平均场理论,超导体的上临界场会随着温度降低而逐渐增加。然而,系统的极低温实验表明,4个原子层厚的铅膜的相边界在低温下具有非常新奇的反常特性:随着温度降低,铅膜的上临界场(onset Bc2)在低温下也逐渐降低。沿着反常相边界对铅膜的磁阻曲线进行标度理论分析发现,在趋近于量子临界点附近临界指数随着磁场减小而迅速增大直至发散,该现象与前期实验中发现的临界指数随着磁场增大而发散的行为不同,故称为反常量子格里菲斯奇异性。考虑到这类二维超导体系具有很强的自旋轨道耦合,研究团队基于超导涨落理论发展了一套新的唯象理论模型,定量地解释了这一反常相边界。在自旋轨道耦合与超导涨落效应的共同作用下,超导-金属相边界偏离平均场理论而向外突出,并在反常相边界处呈现出量子格里菲斯奇异性。这一新奇量子相变的发现,证实了量子格里菲斯奇异性在不同相边界的超导-金属相变中具有普适性,并进一步揭示出自旋轨道耦合与超导涨落效应对于超导-金属相变的影响,为深入理解二维晶态超导体中的量子相变现象提供了一个新的视角。图1 四个原子层厚晶态铅膜中的反常量子格里菲斯奇异性。(a) 铅膜在零磁场下的超导转变曲线。插图是输运测量结构示意图。(b) 在0到5特斯拉不同外加磁场下铅膜电阻随温度的变化曲线。 (c) 铅膜在低温下表现出反常相边界,与超导涨落唯象理论模型一致。 (d) 临界指数随着磁场减小而迅速增大,直至发散,是反常量子格里菲斯奇异性的特征。图2 反常量子格里菲斯奇异性相图示意图。在自旋轨道耦合和超导涨落的作用下,平均场理论的相边界(蓝色虚线)向外突出形成新的相边界(红色实线)。当温度低于T^'时,红色实线代表反常相边界。沿着反常相边界趋于无限随机量子临界点B_c^*可以观测到反常量子格里菲斯奇异性。 该工作于2019年8月12日发表于著名学术期刊《自然∙通讯》。(Nature Communications 10, 3633 (2019) DOI: 10.1038/s41467-019-11607-w): https://www.nature.com/articles/s41467-019-11607-w 北京大学王健研究组博雅博士后刘易和研究生王子乔为文章共同第一作者,北京大学王健教授和北京师范大学刘海文研究员是本文的共同通讯作者。其余作者包括谢心澄院士,林熙研究员,以及王健研究组本科生唐钺、博士生刘超飞、陈澄、邢颖(已毕业)、博士后王庆艳(已出站),和林熙组博士生闪普甲。 该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、博士后科学基金、中央高校基本科研基金的支持。
北京大学 2021-04-11
福大新型量子点复合材料研究成果
福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者,在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》(英文刊名:《Ceramics International》)上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”(英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”)的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线(CuO NWs)异质结构,以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输,同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能,提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低,通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜,均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面,同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义,特别是由于表面积大大增加,异质结密度提高,具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径,也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。
福州大学 2021-02-01
新型量子吸蓝光护眼材料研发及产业化
"本项目研发的新型量子吸蓝光材料,用于防蓝光眼镜,防蓝光护眼贴膜等产品。可用于防护液晶(LCD)和有机电致发光(OLED)手机,电脑显示器等电子产品显示器屏幕发出的高能蓝光,实现健康护眼的目的。 该种新型量子吸蓝光材料具有超强的光波过滤功能,比市面现有主流吸蓝光材料效果高10-100倍,处于世界领先水平。在技术层面优于市场上现有产品。依托于先进的新型量子技术制备防蓝光护眼镜片和护眼贴膜,可高效吸收蓝光,从根本上解决电子产品蓝光伤害这一社会痛点问题。 本项目量子防蓝光眼镜和贴膜产品的生产有两条技术路线,主要步骤如下: 1、无机吸蓝光材料分散在聚合物基材(如聚碳酸酯,聚丙烯酸酯)中直接成型; 2、无机吸蓝光材料分散在紫外光固化胶水中,采用涂布技术制作镜片或者可贴合膜片。"
南京大学 2021-04-10
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