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一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法, 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串,每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极;圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述: 锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台,它的诸多设计都是专用的。因此,高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如,要求的磁场值,均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等,均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联;位移台还可与磁流体密封搭配,实现水平方向二维移动和样品台360度转动;除此之外,该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户,可以磁场的高稳定性。因此,该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个(可选6个或8个)拥有高精度位移的探针臂,同时配有高精度电子显微镜,便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号,用来测试芯片、晶圆片、封装器件等,广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 应用范围: 磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试,微电子机械系统,超导电性测试,纳米电路的光电属性,量子点和线,高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可选附件: þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线 þ CCD或C-MOS视频成像装置 þ Chuck运动装置 þ 电磁铁系统/超导磁铁系统 þ 1Mpa正压系统升级 þ 超高温升级选件 þ 超高真空升级选件 þ 各类探针夹具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 转接头 þ 静音真空泵 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-22
铜基量子自旋液体的候选者和铜基高温超导材料母体在掺杂后的电子结构
刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例,采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法,对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现,ZnCu3(OH)6BrF掺杂后,掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”,而是局域在一个铜原子周围,引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子(如图一所示)。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此,电子掺杂后,ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下,具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现,低掺杂浓度时,铜原子附近形成较为扩展的极化子,因此在高掺杂浓度时,这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加,实现半导体到导体的转变,与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象,指出要在量子自旋液体实现超导,仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的,还必须实现有效掺杂,注入一定浓度的“自由载流子”,为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。
南方科技大学 2021-04-13
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
基于半导体异质结概念,提出利用晶相共生现象可控合成异质结 光催化材料
基于半导体异质结概念,首次通过工艺简单,成本低廉熔融盐法合成一系列 钽酸钙基半导体异质结复合材料,发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量 可通过改变前驱物比例简单调控,证明该异质结复合物晶相,组分变化与光催化 制氢性能有着密切关系,阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制,极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学 2021-01-12
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
一种适用于 4.2K-4.5K 温区的高分辨率超导温度计
本发明公开了一种适用于 4.2K-4.5K 温区的高分辨率超导温度计,包括感应线圈、隔离元件、超导体、互感线圈、超导量子干涉仪以及热阻开关,其中感应线圈为平面无骨架线圈的形式,并通过隔离元件与超导体予以分隔处理,互感线圈由初级线圈和次级线圈共同组成,并且该初级线圈用于与感应线圈构成第一回路,次级线圈则用于与超导量子干涉仪相连并构成第二回路,并且在第一回路和第二回路中各自串联有热阻开关。通过本发明,可根据回路中电流的变化值反推温度的变化,其在 4.2K-4.5K 温区间的测量分辨率可达 0.5μK。&
华中科技大学 2021-04-14
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