1.痛点问题 光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。 2.解决方案 本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。 3.合作需求 本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。 1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。 2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。

套管作为变压器的重要配件，对电力系统的安全运行具有重要意义。合成纤维预制体高性能干式套管制造技术创新性地将先进材料和先进工艺薄膜脱气、真空注胶、压力凝胶、填料改性、一次成型等技术集成并成功应用于高压干式套管的生产，制造出了代表国际先进水平、综合性能极佳的第三代高性能干式套管。 合成纤维预制体高性能干式套管制造技术彻底改变现有油浸纸套管存在漏油、油色谱、火灾风险；胶浸纸干式套管合格率低，成本高；玻璃钢干式套管高故障率的现状。该合成纤维预制体高性能干式套管结构为无油、无气、无纸，零局放、低介损，纯干式、免维护，从而促进整个产业技术升级，使套管的制造技术达到国际领先水平，可全面取代目前国、内外所有类型结构的套管，满足日益增长的高可靠性、安全性的电力发展需求，对促进电力技术的发展具有重要意义。

套管作为变压器的重要配件，对电力系统的安全运行具有重要意义。合成纤维预制体高性能干式套管制造技术创新性地将先进材料和先进工艺薄膜脱气、真空注胶、压力凝胶、填料改性、一次成型等技术集成并成功应用于高压干式套管的生产，制造出了代表国际先进水平、综合性能极佳的第三代高性能干式套管。 合成纤维预制体高性能干式套管制造技术彻底改变现有油浸纸套管存在漏油、油色谱、火灾风险；胶浸纸干式套管合格率低，成本高；玻璃钢干式套管高故障率的现状。该合成纤维预制体高性能干式套管结构为无油、无气、无纸，零局放、低介损，纯干式、免维护，从而促进整个产业技术升级，使套管的制造技术达到国际领先水平，可全面取代目前国、内外所有类型结构的套管，满足日益增长的高可靠性、安全性的电力发展需求，对促进电力技术的发展具有重要意义。

发榜企业：河源市吉龙翔生物科技有限公司 悬赏金额：15万元 需求领域：轻工和化工生物技术、植物产品加工 技术关键词：仙草、凝胶、提取、加工技术 产业集群：现代农业与食品产业集群

本技术属建筑加固新材料领域。建筑加固工程结构胶对于建筑加固市场的需求越来越大，经多年实践经验，长期潜心研究，研制而成新一代系列产品。加固结构胶已用于粘钢加固、植筋锚固、裂缝封闭、碳纤维粘结和石材干挂等完整体系。

产品详细介绍 产品名称                          托马斯透明快速固化耐高温胶（THO4093-I） 概       述       本品系杂环体系改性胶粘剂，加热固化型，其流动性、颜色、耐温性等可适当调整，固化后表面平整、光亮、无气泡。快速固化，粘接强度高，流动性好，操作简单。 适用范围       本品广泛适用于金属与金属、陶瓷、合金、玻璃、复合材料（非金属材料）的自粘与互粘以及表面涂覆，更适合于高低压二极管、三极管、电阻、电容、电机、变压器线圈、大型集成电路（IC）、大规模集成电路（LIC）等的粘结浸润以及批覆、涂敷等工艺。 性   能   特   点       ·外观：单组透明粘稠液体。       ·固化速度快，120℃时，1分钟固化。       ·粘接强度高，韧性好、抗冲击、耐久性好、超强耐紫外光性能优良。       很好的耐热性、耐寒性、耐湿热性、耐大气性、耐辐照型以及散热性，低收缩率、超强耐电        弧性。       ·耐温性能好，适应温度范围广，粘接后在较高的温度下仍有较好的粘接效果。       ·胶水黏度适中、无气泡、流平性能良好，固化后表面光洁度良好。       ·粘接表面无需严格处理，使用方便。       ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、碱、杂环烃、辐射等。       ·安全及毒性特征：有极轻微异味，无吸入危险，实际无毒。产品达到ROHS标准指令。       ·贮存稳定性较好，贮存期为12月。 主要技术性能指标如下：耐温范围:-52－+400℃       拉伸强度：48 MPa  拉弯强度 103.6 MPa  压缩强度  223 MPa 冲击韧性 15KJ/m*m       剪切强度  28.8 MPa  （25℃）  15.4 MPa 200℃   体积电阻25℃1×1015Ω.cm       表面电阻 2.5×1015Ω.cm  体积电阻25℃1.7×1015Ω.cm 介电常数4.4       耐电压28-35.5kV/mm         硬度 shore D 90 使用 方法      1、将被粘物除锈、去污、擦净。      2、将胶水薄且均匀地喷于被粘结表面，然后贴合并稍加外力协助被粘接材质不移动，静置，       以120℃加热一分钟即可完全固化。  注意  事项      1、操作环境注意通风。      2、胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗.      3、未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。                                                                                             该版权属于成都托马斯科技2005-2011所有

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。

本发明的首要目的是提供一种含硅含硼水性聚氨酯，本发明的另外一个目的是提供一种上述含硅含硼水性聚氨酯的制备方法，包括以下步骤：a、称取大分子二元醇与TDI混合，在N2保护下升温至70～90°C，反应1～3h，然后先加入DMPA反应1～2h，再加入BDO反应1～3h，降温至60～70°C，接着滴加氨基封端的硅氧烷反应0.5～1.5h，降温至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、将硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的转速条件下,先加入TEA进行乳化、中和20～30min，再加入硼酸继续乳化