产品详细介绍 产品名称                          托马斯透明快速固化耐高温胶（THO4093-I） 概       述       本品系杂环体系改性胶粘剂，加热固化型，其流动性、颜色、耐温性等可适当调整，固化后表面平整、光亮、无气泡。快速固化，粘接强度高，流动性好，操作简单。 适用范围       本品广泛适用于金属与金属、陶瓷、合金、玻璃、复合材料（非金属材料）的自粘与互粘以及表面涂覆，更适合于高低压二极管、三极管、电阻、电容、电机、变压器线圈、大型集成电路（IC）、大规模集成电路（LIC）等的粘结浸润以及批覆、涂敷等工艺。 性   能   特   点       ·外观：单组透明粘稠液体。       ·固化速度快，120℃时，1分钟固化。       ·粘接强度高，韧性好、抗冲击、耐久性好、超强耐紫外光性能优良。       很好的耐热性、耐寒性、耐湿热性、耐大气性、耐辐照型以及散热性，低收缩率、超强耐电        弧性。       ·耐温性能好，适应温度范围广，粘接后在较高的温度下仍有较好的粘接效果。       ·胶水黏度适中、无气泡、流平性能良好，固化后表面光洁度良好。       ·粘接表面无需严格处理，使用方便。       ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、碱、杂环烃、辐射等。       ·安全及毒性特征：有极轻微异味，无吸入危险，实际无毒。产品达到ROHS标准指令。       ·贮存稳定性较好，贮存期为12月。 主要技术性能指标如下：耐温范围:-52－+400℃       拉伸强度：48 MPa  拉弯强度 103.6 MPa  压缩强度  223 MPa 冲击韧性 15KJ/m*m       剪切强度  28.8 MPa  （25℃）  15.4 MPa 200℃   体积电阻25℃1×1015Ω.cm       表面电阻 2.5×1015Ω.cm  体积电阻25℃1.7×1015Ω.cm 介电常数4.4       耐电压28-35.5kV/mm         硬度 shore D 90 使用 方法      1、将被粘物除锈、去污、擦净。      2、将胶水薄且均匀地喷于被粘结表面，然后贴合并稍加外力协助被粘接材质不移动，静置，       以120℃加热一分钟即可完全固化。  注意  事项      1、操作环境注意通风。      2、胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗.      3、未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。                                                                                             该版权属于成都托马斯科技2005-2011所有

本发明涉及一种能够满足所有输电线路铁塔攀爬的混联双足铁塔攀爬机器人，包括一对胯部平台，一对并联执行机械臂，一个胯部转动副，一对腕部平台，一对足部转动副，一对电磁足部平台，一对足 部机械爪。所述一对胯部平台由所述的胯部转动副连接并驱动其相互转动，所述腕部平台与所述的电磁 足部平台由所述的足部转动副连接并驱动其相互转动，所述胯部平台和所述的腕部平台由所述的并联执 

本发明涉及一种能够满足所有输电线路铁塔攀爬的混联双足铁塔攀爬机器人，包括一对胯部平台，一对并联执行机械臂，一个胯部转动副，一对腕部平台，一对足部转动副，一对电磁足部平台，一对足 部机械爪。所述一对胯部平台由所述的胯部转动副连接并驱动其相互转动，所述腕部平台与所述的电磁 足部平台由所述的足部转动副连接并驱动其相互转动，所述胯部平台和所述的腕部平台由所述的并联执 

研发阶段/n内容简介：本项目以水滑石、有机酸锌钙为主要原料，与多羟基有机物、有机酮、有机酯等进行复配，产生协同增稳效应和保持润滑与稳定的平衡，就地对水滑石进行微胶囊化包覆，提高稳定剂在PVC相的分散性和与PVC相界面的相容性，它包括挤出型材级、管材级、电线电缆级和注塑级四个系列产品。本产品热稳定性优异，可达到同类进口产品的水平，为国内首创。2004年欧洲和我国先后颁布了禁铅法令（ROHs禁令），常用的重金属铅、钡、镉类热稳定剂毒性大，不符合环保要求，禁止使用。目前，无毒钙锌热稳定剂主要进口日本水泽公

本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂，胶黏剂可与水任意比例混合，VOC含量低，无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后，室温状态下为无色透明薄膜，在一定温度下软化并具有一定粘结性，继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂，具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验，产品质量稳定，具有进行大规模生产的前景和能力。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

AKD中性施胶剂是现代造纸工业中应用最为广泛的一类施胶剂。传统的AKD 合成方法需 加入苯类有机溶剂，残留于产品AKD中，损害人体健康，影响AKD产品的下游应用不能用于 食品包装用纸领域。本技术通过采用新型绿色高效工艺合成AKD。解决了目前AKD生产中的 问题。得到的AKD可用于高端造纸领域。

（专利号：ZL 201410111072.3） 简介：本发明公开了一种银基导电胶的制备方法，属于复合材料制备技术领域。该制备方法具体步骤是：将γ-环糊精、硝酸银、聚丙烯酸钠、浓硝酸、蒸馏水混合，搅拌加热至50～80℃，缓慢滴加抗坏血酸、3,4-乙烯二氧噻吩、吡咯赖氨酸、蒸馏水的混合溶液，反应1小时，过滤，经大量蒸馏水、乙醇洗涤，干燥后得到银含量为88～96%的银基复合导电粒子；将环氧树脂、固化剂以及银基复合导电粒子充分混合,100℃下固化