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一种 SWP 协议中 CLF 芯片接口电路
本发明公开了一种 SWP 协议中 CLF 芯片接口电路，包括输入 整形模块，输出负载调制模块，电流采样模块和输出整形模块；所述 输入整形模块的输入端用于连接 CLF 芯片输出的电压调制信号，所述 输出负载调制模块的输入端与所述输入整形模块的输出端连接，所述 输出负载调制模块的输出端用于与 UICC 芯片的 C6 引脚连接；所述电 流采样模块的输入端与 UICC 芯片的 C6 引脚相连；所述输出整形模块 的输入端连接至
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测装置
本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测装置，其包括：工作 台模块、收光测试组件、运输传输组件、探针测试平台、精密对准系 统，其中，在工作中，运输传送系统可以运输盘片工作台到合适的工 作区域，调整位姿之后，启动探测对准系统对探针工作台进行控制， 使探针与待测试的芯片接触通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可 以对其进行检测。按照本发明的机械结构，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的问题，并且采用了精密图像运动控制技术， 实现了倒装 LED 芯片的高速精密测试，加快了芯片的检测效率。按
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测方法
本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测方法，该方法所涉及 的检测装置包括盘片装载台、运输传输系统、收光测试组件、探针工 作台以及探测对准系统，其中，该在线检测方法为:在工作中，运输 传送系统可以运输盘片工作台到合适的工作区域，调整位姿之后，启 动探测对准系统对探针工作台进行控制，使探针与待测试的芯片接触 通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可以对其进行检测。按照本发 明的机械结构，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题，并且采用了精密图像
华中科技大学
2021-04-14
基于电控液晶双模微透镜的控光芯片
本发明公开了一种基于电控液晶双模微透镜的控光芯片。该芯片包括面阵电控液晶双模微透镜；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电极层、电绝缘层、第二电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；第一电极层由其上布有 m×n 元阵列分布的圆孔的一层匀质石墨烯膜构成，公共电极层和第二电极层分别由一层与第一电极层同质的匀质石
华中科技大学
2021-04-14
一种液晶基红外波束偏振控制芯片
本发明公开了一种液晶基红外波束偏振控制芯片，包括芯片壳体(4)以及位于该芯片壳体(4)内的阵列化液晶偏振控制结构(3)；芯片壳体(4)上设置有第一驱控信号输入端口(1)，第二驱控信号输入端口(2)，第三驱控信号输入端口(5)，第四驱控信号输入端口(6)。红外光波进入芯片的阵列化液晶偏振控制结构后，按照液晶偏振控制结构的阵列规模和排布情况被离散化为子波束阵。子波束与受控电场激励下的液晶分子相互作用，被执行水平、垂直、4
华中科技大学
2021-04-14
一种芯片连晶缺陷识别方法
本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测方法
本发明公开了一种倒装LED芯片在线检测方法，该方法所涉及的检测装置包括盘片装载台、运输传输系统、收光测试组件、探针工作台以及探测对准系统，其中，该在线检测方法为：在工作中，运输传送系统可以运输盘片工作台到合适的工作区域，调整位姿之后，启动探测对准系统对探针工作台进行控制，使探针与待测试的芯片接触通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可以对其进行检测。按照本发明的机械结构，能够成功地解决倒装LED芯片电机和发光面不同侧的问题，并且采用了精密图像运动控制技术，实现了倒装LED芯片的高速精密测试，加快了芯片的检测效率。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于模板匹配的芯片定位方法
本发明公开了一种基于模板匹配的芯片定位方法，具体包括以下步骤：步骤一，制作模板；步骤二，对待定位图片进行预处理，增大背景与芯片基体的对比度；步骤三，对预处理后的图片进行图像分割，得到blob块，利用blob块的面积和blob块对应的最小外接矩形的边长信息排除存在连晶、缺损缺陷的芯片；获取剩下的blob块的最小外接矩形的中心位置坐标，以及短边与水平方向的夹角；步骤四，根据步骤三得出的中心位置坐标和夹角，在待定位图片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要适用于芯片制造过程中对芯片的定位，采用先筛选再匹配的方法能快速准确定位出合格芯片的位置，排除掉带有连晶、缺损缺陷的芯片。
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装LED芯片在线检测装置
本实用新型公开了一种倒装LED芯片在线检测装置，包括底座，所述底座的上端转动连接有支撑块，所述底座的正上方设有支撑台，所述支撑块的上端与支撑台的下端转动连接，所述支撑台的上端分别固定连接有第一安装块和第二安装块，所述第一安装块和第二安装块之间设有LED芯片本体，所述LED芯片本体的一侧设有支撑杆，所述支撑杆远离LED芯片本体的一端贯穿第一安装块，所述支撑杆与第一安装块之间为转动连接，所述第一安装块的上端插设有第二螺杆，所述第二螺杆的下端贯穿第一安装块并与支撑杆相抵，所述第二螺杆与第一安装块之间为螺纹连接。本实用新型通过调节机构的设置，实现对LED芯片翻转、旋转，提高使用时的便捷性与检测时的多样化。
华中科技大学
2021-04-14
“飞秒-纳米时空分辨光学实验系统” 国家重大科研仪器
基于金属纳米粒子的局域表面等离激元因其高局域强度，小局域尺度，高灵敏度等特点，被大量应用在不同领域。但是，几个飞秒的超短模式寿命(dephasing time)大大限制了其应用的广泛性和实用性。该工作设计的多层结构实现了局域表面等离激元和传播表面等离激元的强耦合(图1(a))。动态数值模拟结果也清晰地证明在强耦合下局域表面等离激元模式和传播表面等离激元模式之间的能量交换。近场方面，光电子显微镜对表面等离激元模式进行直接成像，大大突破了原有的远场探测技术的限制。并且结合不同激发光源，实现不同维度的探测。结合波长可调的激光光源，光电子显微镜在频域记录下表面等离激元模式随波长变化的强度演化过程(图1(b))。结合超快泵浦探测技术，光电子显微镜在时域记录下表面等离激元模式随时间变化的演化趋势。该工作更加深入并直观地探测强耦合体系中的能量转换过程，并通过强耦合中失谐量的改变实现模式寿命的操控，相较于未耦合的局域表面等离模式，强耦合的模式寿命由6飞秒(10-15秒)提高到10飞秒。这一研究成果对进一步发展基于表面等离激元的人工光合成、生物传感等应用具有重要的指导价值。图1、（a）光电子显微镜和多层结构示意图，（b）远场和近场探测曲线、不同波长激光激发下光电子显微镜记录的局域表面等离激元模式分布图。 此研究是由北京大学和日本北海道大学共同合作完成，北京大学物理学院博士生杨京寰和重大仪器项目的国际合作者、北海道大学助理教授孙泉为该文章的共同第一作者，北京大学龚旗煌院士和北海道大学Misawa教授为共同通讯作者。除了自然科学基金委的国家重大科研仪器研制项目，该工作还得到了科技部、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、极端光学协同创新中心、“2011计划”量子物质科学协同创新中心、日本文部科学省及学术振兴会、北海道大学纳米技术平台等单位的支持。目前国家重大科研仪器研制项目“飞秒-纳米时空分辨光学实验系统”的研制正在有序推进中，已经取得了一批包括此工作在内的阶段性成果。该实验系统的核心仪器是附带低能电子显微功能的光电子显微镜(PEEM), 其激发光的波长覆盖范围从极紫外到近红外(图2)。下一步该实验系统有望在二维材料、光电材料与器件、表面介观物理等研究领域大显身手、发挥积极作用。图2、北京大学研究团队的飞秒纳米时空分辨系统
北京大学
2021-04-11