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纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介:纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
湖北工业大学 2021-01-12
半导体设备超洁净流控系统及其受制约流控零部件
浙江大学聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发,攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 如何通过超洁净流控技术降低流控污染,减少曝光缺陷,提升曝光良率,是国产高端半导体制造装备研制面临的重大挑战,直接关乎整机产品的产线应用性能与市场竞争力。此外,作为各类半导体制造装备的共性核心零部件,超洁净流控部件市场被美国、日本等国垄断,使我国半导体制造装备产业面临核心零部件“卡脖子”风险。浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队所承担的高端半导体制造装备核心分系统之一的超洁净流控系统,自2004年以来在国家863计划和国家02专项支持,聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发,攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术,完成了超洁净流控系统九大组件的研制和集成测试,为半导体制造设备扫描速度与产能的提高提供基础理论与方法依据,同时自主研发的半导体机台核心超洁净流控零部件实现了产品化,突破了国外技术的封锁,为我国半导体制造的发展与自主创新提供了基础支撑。
浙江大学 2022-07-22
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法, 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串,每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极;圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
基于光电读出技术的浓度检测
浓度是衡量工业产品质量的一项非常重要的指标,采用光学原理测量浓度的方法如旋光法、分光光度法、干涉法、折射率法等,光学方法采用非接触式测量手段能够方便快速测量液体浓度,但诸多光学方法存在成本高、灵敏度低和测量范围窄等不足之处,为了避免现有技术所存在的不足,提出了一种基于光电读出技术的浓度检测仪,在降低装置成本的基础上能有效提高光电检测透明溶液浓度的灵敏度,并实现设备小型化。
安徽理工大学 2021-04-13
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
硅基光电子集成技术
 基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术,可实现低成本、批量化生产,并具有和微电子单片集成的潜力,是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连,也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。  在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下,针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题,提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构,形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程,成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。  该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑,也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”,对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底,Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。
上海交通大学 2021-04-13
重庆澳浦光电技术有限公司
       重庆澳浦光电技术有限公司创办于2003年,是一家集研发,生产,销售,售后服务为一体的专业从事现代光学显微镜研究制造的新型高科技企业。在中国西部最大的仪器仪表显微镜生产基地重庆,具备良好的配套条件,交通方便,环境优美。公司已获得国家医疗器械生产许可证、ISO9001质量管理体系认证、ISO14001环境管理体系认证、ISO13485医疗器械质量管理体系认证、CE出口产品认证,拥有多项自主创新研发的发明专利、新型实用专利、外观专利等知识产权,目前更获得了国家高新技术企业证书。              公司在国内外集合了一大批具备经验丰富,水平高超的研发人员,组成一支优秀团结,不断创新的研发团队,在光学研究,机械设计,软件开发等方面具备强大的显微镜光机电系统集成的开发能力。公司研发能力强大,发展后劲充沛。澳浦具备强大光学冷加工和优质光学镜头的生产加工能力,全部光学镜头自行生产,充分地保障了公司产品优异的光学性能和清晰的成像质量;公司生产基地还同时具备高质量的金属加工,表面处理,装配校正的生产和管理能力。公司严格地按照各项质量管理体系的要求对研发,生产,销售和售后服务进行运作管理,充分保证了每一台产品的质量和客户对于产品售后服务的严格要求。              公司目前已申请多项在国际国内领先的完全自主创新的技术专利,拥有UOP商标。              公司在企业文化中强调团队精神,不断创新,诚实守信,追求完美。我们也强调在澳浦发展的同时,保证用户和经销商也能分享到澳浦发展所创造的价值和利益。     
重庆澳浦光电技术有限公司 2022-11-01
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