研发阶段/n（1）对于温水性养殖鱼类，按照50~60mg/kgo鱼体重的用量，将黄芪多糖拌在饲料中投喂，连续投喂15~30天，为一个预防周期。根据疾病流行季节的长短，在间隔15~20天后，可以再用一个预防周期。（2）对于冷水性养殖鱼类，按照60~80mg/kgo鱼体重的用量，将黄芪多糖拌在饲料中投喂，连续投喂15-30天，为一个预防周期。根据疾病流行季节的长短，在间隔20天左右后，可以再用一个预防周期。（3）对于养殖虾、蟹类水产动物，按照120~150mg/kgo体重的用量，将黄芪多糖拌在饲料中投喂

研发阶段/n（1）对于温水性养殖鱼类，按照40~50mg/kgo鱼体重的用量，将甘草多糖拌在饲料中投喂，连续投喂15~30天，为一个预防周期。根据疾病流行季节的长短，在间隔15~20天后，可以再用一个预防周期。（2）对于冷水性养殖鱼类，按照50~60mg/kgo鱼体重的用量，将甘草多糖拌在饲料中投喂，连续投喂15-30天，为一个预防周期。根据疾病流行季节的长短，在间隔20天左右后，可以再用一个预防周期。（3）对于养殖虾、蟹类水产动物，按照100~150mg/kgo体重的用量，将甘草多糖拌在饲料中投喂

本发明公开了一种高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法，以还原性多糖为原料在氧化剂的作用下制取水凝胶，采用如下的工艺条件：以高碘酸钠作为氧化剂，以至少一种以下物质：盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、柠檬酸、具有Lewis酸性质的绿色溶剂离子液为催化剂；调节体系的pH在酸性范围在室温下避光反应4小时，经后处理得到不同氧化度的天然高分子多糖高强度水凝胶。本发明方法获得的产品具有氧化度高，与其它反应物之间的交联更加容易，形成的化学键更加牢固的优点，能形成高强度水凝胶，并且凝胶的降解速率可以得到控制，适合用于制备骨组织功能材料。

课题组考虑将锶（Sr）这种元素引入杜仲多糖（EUP）中，希望合成一种中西结合的新材料杜仲多糖锶来调节骨免疫，为骨再生创造出良好环境，以促进骨修复。 材料表征结果表明，通过

    天津市威斯曼光学仪器有限公司是一家设计、制造测绘仪器及电教仪器专业公司。它的前身是原天津市第二光学仪器厂，创建于建国初期的国有老厂， 2003年1月完成企业转制。     我公司依承了原天津市第二光学仪器厂的技术实力、汇集精英，集四十余年设计制造：经纬仪、自动安平准仪、子午线仪、超薄型反射式投影仪、书写投影仪、自动幻灯机以及各种光学镜片冷加工，并代理销售多种国外品牌产品。产品不仅畅销国内，还远销东南亚、中东、欧美等地区。2002年我公司通过了TUV的ISO9001国际质量体系认证，由于可靠的质量、良好的信誉、优质的报务，赢得了中外客户的信任与好评。     天津市威斯曼光学仪器有限公司愿以全新的企业机制，为用户提供全方位服务，我们将技术、质量、管理上与世界接轨，以精密光学仪器产品为基础先导，融汇世界一流的技术产品，努力发展成为专业的光学仪器供应商。

仪器概述 　本仪器是按照中华人民共和国标准GB/T3536-2008《石油产品闪点和燃点的测定 克利夫兰开口杯法》所规定的要求设计制造的，适用于测定各种油品及沥青(粘稠油沥青、液体油沥青、液体页岩沥青等)之闪点和燃点。可供各工矿企业、交通部门、科学研究单位和实验室等部门作有关油品和沥青闪点、燃点的测定和试验研究 技术参数 1、工作电源： AC 220V±10%，50Hz。 2、加热功率： 0-450W连续可调。 4、点火装置： 喷口孔径0.6-0.8mm。 5、划扫装置： 自动扫划。 6、引火气源： 液化气、民用可燃气引火。 7、样品状态： 液态。 8、温 度 计： 符合GB/T514规定。 9、环境温度：-10℃-50℃。 10、相对湿度：≤85%。 性能特点 1、设计符合GB/ T3536等标准的要求。 2、升温速度连续可调。 3、仪器结构紧凑、造型美观、操作方便。 网址链接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=720

本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂，胶黏剂可与水任意比例混合，VOC含量低，无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后，室温状态下为无色透明薄膜，在一定温度下软化并具有一定粘结性，继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂，具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验，产品质量稳定，具有进行大规模生产的前景和能力。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。