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一种可计算的三维彩色印刷方法
本发明公开了一种可计算的三维彩色印刷方法，用于在三维物体表面上生成用户指定的彩色纹理图案。该方法通过对传统水转印刷过程中PVA膜的运动和形变进行建模和模拟计算，得到PVA膜上每个像素与物体表面点之间的映射函数，进而利用该映射函数计算出打印在PVA膜上的纹理图案。本发明进一步包含了一套机械装置和一个三维视觉系统实现精确可控的水转印刷，将用户指定的纹理图案精确印刷到物体表面。本发明还包括一种多次水转印刷方法，将复杂物体表面分成多个部分，每个部分单独着色，最终完成整个物体表面的着色。
浙江大学
2021-04-13
高导电高分子点胶
中试阶段/n高导电高分子点胶是一种具有电磁屏蔽功能、使用时可在施工部位就地成型的一类电磁密封材料。在成型前呈膏状，成型时通过在需要电磁密封部位挤压成所需要的形状，在常温下自动固化，形成弹性体衬垫。具有高电性能而达到电磁屏蔽的目的。该材料最大的优点是可将这种半流体状材料，按照客户指定的尺寸和形状要求，直接点涂到电子装置部件，在室温下成型成衬垫，消除了使用传统衬垫时裁切成型及装配工序，从而大大节省装配时间和制造成本，产品无污染。主要用于电子产品。技术指标：体积电阻率＜0.08Ω?cm；绍A硬度：45-7
湖北工业大学
2021-01-12
造影剂弛豫率 核磁共振造影剂驰豫率分
产品详细介绍产品简介： NMI20核磁共振造影剂驰豫率分析成像测试仪是一款经典的小核磁，专为核磁共振造影剂研究应用设计开发而成，该设备配套有造影剂专用弛豫时间测试软件,磁共振成像软件，可以直接测试得到不同浓度造影剂样品的T1、T2弛豫时间，R1、R2弛豫速率以及造影剂样品的弛豫效率r，并可完成T1加权成像，,T2加权成像和质子密度加权成像。弛豫时间测试过程非常简单，样品无需特别配置，软件实现中英文双语选择界面，操作简便，易学易用。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度：0.5±0.08T，仪器主频率：21.3MHz；3、探头线圈直径：15mm；应用解决方案：1、Gd类，Fe类，Mn类等核磁共振造影剂T1、T2弛豫时间测试，弛豫效率r测试；2、不同浓度造影剂样品成像，T1,T2加权成像，直观评价造影效果；3、细胞液弛豫测试与成像 .....应用案例一：四氧化三铁，T2磁共振靶向造影剂弛豫率测试，磁共振成像测试应用案例二：Gd+ 类T1 磁共振造影剂测试实例，T1弛豫时间测试，T1加权成像应用案例三：不同浓度磁共振造影剂对比成像注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司
2021-08-23
低分辨人脸图像重建与识别系统
成果简介当前，视频监控得到了迅速发展。视频监控普遍存在的问题是：人脸图像分辨率低下。对于低分辨率的人脸图像，需要清晰化目标人的人脸图像和确定监控中目标人的真实身份，这是一个国际性难题。成果应用应用于2008年北京奥运是奥运史上首次将人脸识别技术作为人员身份识别的智能化手段引入其安保工作，是人脸识别技术在华发展的里程碑。 ------摘自人民日报海外版（2012年02月25日） 应用于户籍查重湛江市对全市6123812张二代证人脸图像进行人脸识别，共查出12314对重复户口，查出8名网上逃犯。 对我国人脸识别应用呈现爆发性增长起到了推动作用应用于视频图像侦察清华大学在低分辨率人脸图像重建的新进展：对瞳距大于12像素的人脸图像进行重建，重建像的人脸识别率为：在10万异源数据库中（如二代证数据库），前100名的识别率大于70%在10万同源数据库中，前100名的识别率大于80%
清华大学
2021-04-13
射频集成电路设计产品
该芯片采用低成本可集成的标准0.25umCMOS工艺实现三波段单变频结构的数字电视调谐器专用芯片，在传统射频调谐芯片的基础上，集成了可变增益放大器，提高了芯片集成度，降低了调谐器产品成本。并调整了部分版图结构，可以实现48～860MHz数字电视信号的全波段接收。芯片采用LQFP44封装。
东南大学
2021-04-10
碳基CMOS集成电路技术
发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。
北京大学
2021-02-22
压印法集成电路光刻技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
抗辐射加固存储单元电路
本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余
华中科技大学
2021-04-14
集成电路与微显示技术
集成电路设计 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。 我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建
南开大学
2021-04-14
一种射频功率检测电路
本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输 入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处 理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流 电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个 输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输 出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是： 各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率 和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可 调；能满足高达
华中科技大学
2021-04-14