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一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法
本发明公开了一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法,属于超小尺寸钙钛矿量子点技术领域,包括以下步骤:S1、将CsBr、PbBr<subgt;2</subgt;和芳香酸粉末置于容器中,加入极性溶剂进行搅拌混合,得到透明前驱体溶液;S2、在前驱体溶液中加入胺溶液,得到混合溶液后添加至反溶剂中,得到量子点粗溶液;S3、向量子点粗溶液中加入金属盐溶液,搅拌后进行离心,向离心得到的上清液中加入有机溶剂,再次离心后得到量子点沉淀;S4、将量子点沉淀溶解于甲苯和DMF的混合溶液中,再次离心得到澄清透明的量子点溶液。本发明通过FeBr<subgt;3</subgt;协同芳香酸重构量子点界面,使量子点获得接近100%的PLQY,并展现出长期的稳定性。
复旦大学 2021-01-12
不同形状超细、高纯氢氧化镁制备技术
氢氧化镁的粒度、纯度和表面特性直接关系到高聚物材料的力学性能、阻燃性能以及环保领域中对废水、重金属的处理,所以经济、实用、新型的氢氧化镁的制备方法、氢氧化镁的超细化和氢氧化镁的表面改性对氢氧化镁的应用至关重要,对于高聚物材料阻燃问题的解决和环境保护均具有重要意义。本技术是以廉价、普适性富镁质天然矿物为原料,经冷加工、热处理、化学反应等过程,制得六方片状和纤维状超细、高纯氢氧化镁粉体,为新型阻燃填充材料和工业废水处理剂的生产提供保证。
南京工业大学 2021-01-12
良田S1500A3AF超清高拍仪极速传输扫描仪
深圳市新良田科技股份有限公司 2021-08-23
净化工作台.超净工作台.洁净台.单人水平
产品详细介绍杰康超净工作台这是一种供单人操作的通用型局部净化设备,气流形式为水平层流,它可造就局部高清洁度空气环境,是科研制药、医疗卫生、食品、制药、生物制品、化验室、实验室 电子光学仪器等行业最为理想的专用设备。使用范围: 食品、制药、生物制品、化验室、实验室 特点:1、操作区为全不锈钢2、外型美观结构合理3、 风量可调,双侧电源插座 技术术参数:产品名称 单人单面净化工作台(水平)型    号 JHT--DD外形尺寸 900×800×1470,工作区尺寸 840×480×570洁净等级 100级@≥0.5μm(美联邦209E),平均风速 0.3~0.6m/s(可调)噪音 ≤65dB(A),振动 ≤3μm照明 ≥300LX,电源 AC,单相220V/50HZ消耗功率 ≤350W,紫 外 线 20W×1,照明 20W×1备注:操作区不锈钢结构 
济南杰康净化设备厂 2021-08-23
细胞立体结构模型细胞超微立体结构模型XM-847
XM-847细胞超微立体结构模型   XM-847细胞超微立体结构模型为立方形半模式细胞立体的超微结构,细胞三面剖开细胞膜,切开细胞核的1/4部分。暴露各种细胞器及核的结构,主要的细胞器有线粒体,粗面及滑面内质网,高尔基体,中心粒等,细胞核切面显示核膜、染色质和核仁,同时还显示核糖体、溶酶体,微丝、微管、分泌泡等。此外,细胞膜还显示微绒毛(已切除)及基底膜內褶等结构。 尺寸:36×27×52cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉及用途
本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉,该发明首先将配好的原料进行感应熔炼,制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片;将制得的速凝片进行氢破碎,脱氢后得到粗破碎磁粉;然后在惰性气体保护气氛下,进行气流磨,得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉;然后将磁粉放入管式炉中,通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气,即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果,具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。
浙江大学 2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法,该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4,M代表Cu、Ti、Sn、Al;其是以组成阳离子的氧化物为起始原料,球磨,经过多次煅烧,加入有机粘结剂造粒成型后,烧制而成,烧成片状样品后,两端面上银电极,电极烧渗后,在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料,在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学 2021-01-12
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材,其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs(可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比),并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后,在超高真空条件下,研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理,并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱(ARPES)获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息,测得了电子有效质量(~0.14 m0)、费米速度(~1.69*106 m/s,约光速的1/180)及禁带宽度(~0.8 eV)等关键物理参量。
北京大学 2021-04-11
一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜,其包括:由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极,它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上;在加电态下,图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵,阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控,向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电
华中科技大学 2021-04-14
一种基于金属平面微纳线尖电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜,其包括:由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极,它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面;在加电态下,阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控,向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集,纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖
华中科技大学 2021-04-14
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