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硫化物超级电容器的产业化开发
小试阶段/n超级电容器以其大容量、高功率、长寿命、成本低廉、环境友好等优 越的性能，可以部分或全部替代传统的化学电池，并且具有比传统的化 学电池更加广泛的用途。该项目研制的硫化物超级电容器，其比容量可 达 1200-1400F/g，远高于目前市面上和研究报道的同类材料，同时具备 极好的循环性能、热稳定性和导电性。该技术的先进性主要体现在以下 几个方面：（1）制备出了中空结构的大比表面积硫化物电极材料，具备 较高的比容量。（2）设计和构造了基于过渡金属硫化物中空纳米结构的 复合阵列，显著提高了电容器的
华中科技大学
2021-01-12
聚芳硫醚砜树脂产业化合成方法
聚芳硫醚砜[ Polyarylene sulfide sulfone, PASS]是聚苯硫醚（PPS）的结构改性产物，不仅保持了特种工程塑料PPS优异的耐热、耐腐蚀性以及优异的力学性能，而且由于其分子链结构中具有的芳基砜结构，使得这一聚合物具有比PPS更优异的抗冲、抗弯及高温力学性能。目前，只有美国和日本建有PASS工业化生产装置，产品已被应用于汽车工业、电子电器、机械、军事工业等领域，市场前景十分广阔，取得了极大的经济效益。我国的PASS研究开始于七十年代初，现主要研究力量集中在四川大学材料科学技术研究所，十五计划期间被列如国家863高技术计划研究项目。我们在广泛进行PASS树脂的合成、结构与性能研究的基础上，采用常压反应，在极性有机溶剂中合成了高分子量PASS树脂，其对数比浓粘度高达0.65dl/g，质量与性能同国外样品相当，并在此基础上采用不同的方法制得了PASS薄膜，具备了进行产业化工作的条件。随本项目的进行，必将推动具有我国自主知识产权的特种工程塑料及高性能分离膜的研究与生产，并对我国高新材料的发展及其产业化产生极积的推动作用。主要技术指标：PASS为玻璃化温度较高的非结晶性树脂，其玻璃化温度达215℃，热变型温度为190℃；PASS的阻燃性能为V-0级；PASS在室温可溶于特定的溶剂中，可在溶液状态下方便的进行表征并可进行溶液法加工，与此同时，PASS的次级有序结构又使其耐腐蚀性远远优于大多数无定性树脂，如聚砜（PSF）、聚碳酸酯（PC）等。
四川大学
2023-05-15
番茄红素制备关键技术与产业化开发
一、成果简介 番茄红素是植物中所含的一种天然色素，是迄今为止自然界中被发现的最强抗氧化剂之一。主要存在于茄科植物西红柿的成熟果实中。它是目前自然界中被发现的最强抗氧化剂。科学证明，人体内的单线态氧和氧自由基是侵害人体自身免疫系统的罪魁祸首。番茄红素清 除自由基的功效远胜于其他类胡萝卜素和维生素 E，其淬灭单线态氧速率常数是维生素 E 的100倍。它可以
中国农业大学
2021-04-14
有机牛奶关键技术研究与产业化开发
一、成果简介 有机牛奶在生产过程中通过循环经济模式，物质和能量在整个生产体系内循环利用，减少对外界资源的消耗和对外界环境的污染。我国有机牛奶生产尚处于萌芽阶段，需要产业技术支持和创新发展，其拥有的循环经济特质，极具发展前景和的生命力。在李胜利教授指导下建立了中国首家通过了从饲料基地到有机牛奶加工的全程有机认证；改变了传统的奶牛养殖理念和牛奶生产与加工模式，建立了“种养加销与粪污沼气化”的循环经济产业实体，为中国奶业产业升级和解决“三农”问题提供解决方
中国农业大学
2021-04-14
大豆磷脂生产关键技术及产业化开发
一、 简要综述
获2009年中国粮油学会科学技术进步二等奖；2007年教育部科学技术进步二等奖；2010年国家科技进步二等奖。
二、 具体介绍
1、项目简介
以大豆油加工副产物油脚为原料，在研究复杂脂质化学、生物学特征的基础上，针对食品、医药磷脂过程中的胶束/反胶束、金属膜过滤、生物酶反应等关键技术进行系统研究，解决高粘性复杂生物活性脂质产品杂质含量高、色泽深、不良外源伴随物质含量高等突出问题，开发了浓缩磷脂、粉末磷脂、改性磷脂、高PC磷脂等产品，并实现工业化。
2、创新要点
（1）大豆磷脂精制除杂、酶促非水化磷脂转化、高效薄膜蒸发耦合技术；
（2）大豆磷脂纯化制备药用磷脂技术；
（3）大豆磷脂的化学∕酶定向修饰技术。
3、效益分析（资金需求总额 2000 万元）
采用大豆油水化脱胶制备磷脂工艺，避免了油脚或采用碱炼工艺产生皂脚引起的二次污染。一吨油脚制备黑脂酸产生2吨废酸水，全国植物油总量2500万吨，水化油脚150万吨，可减少废酸水排放300万吨。同时磷脂产品满足了国内对磷脂的需要，具有巨大的社会效益和环境效益。
4、推广情况
已推广企业，中粮东海粮油工业、九三粮油工业集团、上海（良友）集团公司等20家建立46条生产线。
江南大学
2021-04-11
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略，通过合成一个柔性的共轭n型聚合物，使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界，提升其机械性能，实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离，进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学
2021-04-14