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一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
三维信息存储材料及其存储器
南开大学三维信息存储材料及其存储器的研究获天津市2001年度自然科学一等奖，采用三维全息存储介质的光存储系统—固定式三维光子存储装置，其存储量的容量可达到10Tbits/cm2以上，比二维盘片存储介质上的存储容量高一千倍；采用光学的方法符合并行输入与输出的要求，可同时一次性写入多幅和读出整幅图象信息，信息转移率高达1Gbits/sec，比光盘的逐点写入与输出方式所能达到的信息转移率高几千倍。故称之为海量存储。此外，它还有成本低、体积小、可重复读写的特点。利用光折变晶体的三维体全息光存储是国际上目前
南开大学
2021-04-14
3D NAND 存储器研发
已有样品/n3D NAND 是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND 阵列打下坚实基础。
中国科学院大学
2021-01-12
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14
新型高速低功耗铁电存储器
我国每年将进口200多亿美元的存储器芯片，而大的技术带动力发挥着关键作用,其产业中心的不断转移也深地出响了世界范围内的产业格局，存储器产业工艺技术先进,产品量大，替代性强,美欧日韩等集成电路强国无不是从半导体存储器产业切入并逐渐发展壮大的。建立完全自主的存储器产业可以推动我国整个半导体工业的完善和优化,并我国巨大的产品需求,就可以形成包括市场在内的完整产业体系。相比于其他新型存储器，铁电存储器更轻易实现深亚微米设计,与CMOS工艺的匹配性更出色,在设计上相对FDRAM变动最小，因而产业化成熟度最高,美国Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列产品,正逐步占领全球消费类电子、新能源汽车等领域数百亿美元的市场份额,进军物联网、云计算等新兴领域铁电存储器具有非易失(即掉电后数据不丢失)、超低功耗高速读写、高可靠、长寿命和抗辐照等优点,被称为“终极存储器”。从全球存储器技术发展来看,铁电存储器作为新代存储器，能够在快速高耐久写入、超低功耗以及高可靠性的应用领域全面替代传统的NVRAM。
电子科技大学
2021-04-10
阻变存储器与铁电FinFET
已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐
久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM
的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在
电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取
信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。
中国科学院大学
2021-01-12
半导体领域
晶盛机电以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉等晶体生长设备，同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备，致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业；在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化，并取得半导体材料装备的领先地位；成功掌握国际领先的450kg级超大尺寸泡生法蓝宝石晶体生长技术，蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势；在工业4.0方向，公司为半导体产业、光伏产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对“机器换人+智能制造”的生产模式需求。
浙江晶盛机电股份有限公司
2021-02-01